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G3VM-61B1/E1 MOS FET繼電器

G3VM-61B1/E1 MOS FET繼電器

產品分類：MOS FET繼電器
產品說明：G3VM-61B1/E1 MOS FET繼電器 最適合應用于模擬信號開關的MOS FET繼電器,可對應AC2.5KV的輸入輸出間耐壓和開閉大電流場合 ? G3VM-61B/E 系列的升級。 ? 可用于微笑模擬信號的開關。 ? 輸出繼電器開路時漏電流在1μA 以下。
  • 種類
  • 額定/性能
  • 外形尺寸
  • 注意事項

 種類

形狀 接點結構 端子種類 負載電壓(最大)* 型號 每桿裝數量 每卷裝數量
DIP6 1a 印刷基板用端子 60V G3VM-61B1 50 —
表面安裝端子 G3VM-61E1
G3VM-61E1(TR) — 1,500

*負載電壓（最大）：表示峰值AC、DC。

絕對最大額定（Ta?＝?25℃）

項目 符號 額定 單位 條件
輸入側 LED正向電流 IF 50 mA 　
反復峰值LED正向電流 IFP 1 A 100μs脈沖、100pps
直流正向電流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向電流 VR 5 V 　
粘合部位溫度 TJ 125 ℃ 　
輸出側 輸出耐壓 VOFF 60 V 　
連續負載電流 A連接 IO 500 A A連接：峰值AC/DC
B、C連接：DC
B連接 500
C連接 1000
導通電流降低比率 A連接 △IO/℃ -5 mA/℃ Ta≧25℃
B連接 -5
C連接 -10
脈沖導通電流 Iop 1.5 A t=100ms、Duty=1/10
粘合部位溫度 TJ 125 ℃ 　
輸入輸出間耐壓(注1) VI-O 2500 Vrms AC持續1分鐘
使用環境溫度 Ta -40～+85 ℃ 無結冰、無冷凝
貯藏溫度 Tstg -55～+125 ℃ 無結冰、無冷凝
焊接溫度條件 — 260 ℃ 10s
（注1）:測量輸入輸出間的耐壓時，分別對LED針腳、受光側針腳統一地施加電壓。

■電氣性能（Ta?＝25℃）

項目 符號 最小 標準 最大 單位 條件
輸入側 LED正向電流 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向電流 IR — — 10 μA VR＝5V
端子間電容 CT — 30 — pF V=0、f=1MHz
觸發LED反向電壓 IFT — 1.6 3 mA IO=500mA
復位LED反向電壓 IFC 0.1 — — mA IOFF=100μA
輸出側 最大輸出導通電阻 A連接 RON — 1 2 Ω IF=5mA、Io＝500mA
B連接 — 0.5 1 Ω IF=5mA、Io＝500mA
C連接 — 0.25 — Ω IF=5mA、Io＝500mA
開路時漏電流 ILEAK — — 1.0 μA VOFF=60V
端子間電容 COFF — 130 — pF V=0、f=1MHz
輸入輸出間電容 CI-O — 0.8 — pF f=1MHz、VS=0V
輸入輸出間電容絕緣電阻 RI-O 1000 108 — MΩ VI-O=500VDC、ROH≦60%
動作時間 tON — 0.8 2.0 ms IF=5mA?RL=200Ω、VDD=20V（注2）
復位時間 tOFF — 0.1 0.5 ms
（注2）:?動作·?復位時間
（単位:mm）
G3VM-61B1
形G3VM-601BY:外形1
重量：0.4g
注. 標記內容與實際商品有所不同
 		G3VM-61E1
形G3VM-601EY:外形1
重量：0.4g
注. 標記內容與實際商品有所不同
印刷基板加工尺寸(BOTTOM VIEW)
形G3VM-601BY:外形2 		實際焊盤尺寸（推薦值）（TOP VIEW）
形G3VM-601EY:外形2

端子配置/內部接線圖

注. 產品的型號中沒有標明：G3VM。